هواوی روی ساخت دو تراشه ۳ نانومتری کار می‌کند

یوسف اسفندیاری

۱۰ خرداد ۱۴۰۴ | ۰۷:۰۰ زمان مورد نیاز برای مطالعه: ۲ دقیقه

هواوی، غول فناوری چینی، با وجود قرار گرفتن در لیست سیاه تجاری ایالات متحده و محدودیت‌های ناشی از جنگ تجاری چین و آمریکا، قصد دارد تا سال 2026 از تراشه‌های پیشرفته‌ی 3 نانومتری خود پرده‌برداری کند. این اقدام، در صورت تحقق، نشان‌دهنده‌ی عزم جدی این شرکت برای غلبه بر چالش‌های دسترسی به فناوری‌های روز دنیا در صنعت نیمه‌هادی‌ها خواهد بود. این محدودیت‌ها به طور خاص دسترسی هواوی به ماشین‌آلات لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ساخت شرکت هلندی ASML را، که برای تولید تراشه‌های مدرن حیاتی هستند، مسدود کرده است.

بر اساس گزارش‌های منتشر شده، از جمله از سوی «اکونومیک دیلی نیوز» تایوان، هواوی برنامه‌ریزی کرده است که مرحله‌ی نهایی طراحی و آماده‌سازی برای تولید، موسوم به «تیپ‌اوت»، برای تراشه‌های 3 نانومتری خود را تا سال 2026 به پایان برساند. این فرآیند شامل تکمیل طراحی نهایی تراشه و ارسال آن به واحدهای تولیدی (فاندری‌ها) برای ساخت انبوه است. بنابراین، انتظار می‌رود محصولات مجهز به این تراشه‌های نوین در همان سال 2026 یا اوایل 2027 به بازار عرضه شوند. این یک گام بلندپروازانه برای هواوی به شمار می‌رود که می‌تواند شکاف فناوری میان این شرکت و رقبای اصلی آن مانند کوالکام، مدیاتک و سامسونگ را، که هم‌اکنون تراشه‌های 3 نانومتری خود را عرضه کرده‌اند و به سمت فناوری 2 نانومتری حرکت می‌کنند، به میزان قابل توجهی کاهش دهد.

شرکت SMIC، به عنوان شریک اصلی هواوی در تولید تراشه، نقش کلیدی در این برنامه‌ها ایفا می‌کند. گفته می‌شود این دو شرکت از مدت‌ها قبل برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری برنامه‌ریزی کرده‌اند، هرچند تنش‌های تجاری بین‌المللی روند پیشرفت آن‌ها را آهسته‌تر کرده است. هواوی قصد دارد در ساخت تراشه‌های 3 نانومتری خود از فناوری ترانزیستورهای GAA (Gate-All-Around) بهره بگیرد. همچنین، گزارش‌ها به تحقیق و توسعه بر روی استفاده از مواد دوبعدی، مانند نانولوله‌های کربنی، به جای سیلیکون در ساختار ترانزیستورها اشاره دارند که می‌تواند منجر به افزایش بهره‌وری انرژی تراشه‌ها شود.

مقاومت هواوی در برابر تحریم‌ها قابل توجه بوده است. این شرکت با همکاری SMIC توانسته است تراشه‌های 5 نانومتری، از جمله مدل Kirin X90، را بدون دسترسی به تجهیزات EUV و با تکیه بر ماشین‌آلات قدیمی‌تر DUV (فرابنفش عمیق) تولید کند. اگرچه این روش با چالش‌هایی نظیر بازده تولید پایین همراه است – گفته می‌شود بازده تولید تراشه‌های 5 نانومتری با این روش حدود 20 درصد است و برای تراشه‌های 3 نانومتری با پیچیدگی‌های بیشتر فناوری DUV احتمالا کمتر هم خواهد شد – اما نشان‌دهنده‌ی توانایی فنی و اراده‌ی این شرکت‌هاست.

ورود هواوی به عرصه‌ی تراشه‌های 3 نانومتری در سال 2026، هرچند با تاخیر نسبت به رقبا، یک دستاورد مهم تلقی خواهد شد. این امر ثابت می‌کند که هواوی همچنان یک نیروی قابل اعتنا در صنعت نیمه‌هادی است، تا جایی که انویدیا نیز اخیرا هواوی را رقیبی جدی‌تر از اینتل و AMD برای خود دانسته است. در همین حال، چین تلاش‌های گسترده‌ای را برای توسعه‌ی فناوری بومی EUV آغاز کرده است. برخی منابع آگاه در صنعت نیمه‌هادی چین، از آزمایش فعال فناوری EUV توسط هواوی خبر می‌دهند که ممکن است تا سال 2026 برای تولید انبوه آماده شود. با این حال، کارشناسانی مانند یک مهندس سابق ASML، با اشاره به برتری فنی عظیم ASML، این امر را بعید می‌دانند. گزارش‌ها حاکی از تخصیص بودجه‌ی 37 میلیارد دلاری برای توسعه‌ی EUV در چین است و انتظار می‌رود هرگونه پیشرفت در این حوزه، همانند موارد قبلی مانند Kirin 9010، به صورت محرمانه انجام شود.