سامسونگ تولید نسل نخست تراشه‌های ۳ نانومتری خود را آغاز کرد

۱۰ تیر ۱۴۰۱ | ۱۷:۱۲ ۱۰ تیر ۱۴۰۱ زمان مورد نیاز برای مطالعه: ۲ دقیقه
سامسونگ تولید تراشه‌های 3 نانومتری

سامسونگ روز گذشته رسما تولید نسل نخست از تراشه‌های ۳ نانومتری خود را با فناوری ساخت Gate-All-Around (به اختصار GAA) آغاز کرد.

Samsung Foundry که بخش تولید تراشه‌ی شرکت کره‌ای به حساب می‌آید، به‌تازگی تولید نسل نخست از تراشه‌های ۳ نانومتری خود را آغاز کرده است. تراشه‌هایی که مبتنی بر فناوری ساخت جدیدی موسوم به Gate-All-Around هستند که باعث می‌شود ترانزیستورهای بیشتری در فضای کم، روی یک تراشه قرار بگیرند.

در مقایسه با لیتوگرافی ۵ نانومتری، تراشه‌های ۳ نانومتری جدید سامسونگ از لحاظ عملکرد پردازشی تا ۲۳٪ بهتر از نسل قبل خواهند بود در حالی که ۴۵٪ مصرف انرژی کمتری خواهند داشت. به لطف فناوری جدید، اطراف تراشه هم که بیشتر شامل فضای خالی می‌شد، اکنون به میزان ۱۶٪ کاهش پیدا کرده تا شرکت فضای بیشتری برای بزرگ‌تر کردن سایر قطعات نظیر باتری درون یک گوشی داشته باشد.

سامسونگ تولید تراشه‌های 3 نانومتری

این‌ها، مشخصات نسل نخست تراشه‌های ۳ نانومتری سامسونگ هستند که از دیروز روند تولید آن‌ها آغاز شده است. گفته می‌شود نسل دوم بسیار هیجان‌انگیزتر هم خواهد بود چرا که در مقایسه با فناوری ساخت ۵ نانومتری کنونی شرکت، ۵۰٪ بهینه‌تر، ۳۰٪ سریع‌تر و ۳۵٪ کوچک‌تر هستند. این یعنی در مقایسه با نسل نخست خود، ۵٪ کم‌مصرف‌تر، ۷٪ سریع‌تر و ۱۹٪ کوچک‌تر خواهند بود که به خودی خود یک پیشرفت محسوس به حساب می‌آید.

به لطف این فناوری ساخت جدید، سامسونگ از TSMC پیش افتاده چرا که شرکت تایوانی می‌خواهد اواخر امسال از تراشه‌های ۳ نانومتری خود رونمایی کند. همچنین شایعات حاکی از آن است که این شرکت نمی‌خواهد از فناوری ساخت GAA استفاده کند و به همان FinFET متوسل خواهد شد. البته عملکرد TSMC در ساخت یک تراشه واقعا استثنائی است اما اگر از فناوری ساخت جدید استفاده نکند و از آن طرف سامسونگ بتواند برخلاف همیشه، عملکرد خوبی را از خود به نمایش بگذارد، قطعا توجه بسیاری از شرکت‌ها به سمت شرکت کره‌ای معطوف خواهد شد.

سامسونگ تولید تراشه‌های 3 نانومتری

فناوری که سامسونگ در ساخت تراشه‌های ۳ نانومتری خود استفاده می‌کند، GAA MBCFET است

فناوری ساخت GAA به شرکت‌ها این اجازه را می‌دهد تا اندازه‌ی ترانزیستورها را کاهش دهند تا بتوانند از تعداد بیشتری از آن‌ها روی یک تراشه استفاده کنند. هرچه تعداد ترانزیستورها بیشتر باشد، جریان بیشتری هم بین آن‌ها انتقال پیدا می‌کند و در عمل، قدرت و سرعت پردازشی یک تراشه ارتقا پیدا می‌کند و مصرف انرژی آن هم کمتر می‌شود. با کوچک‌تر شدن ترانزیستورها، تعداد آن‌ها افزایش پیدا می‌کند اما از توانایی آن‌ها در انتقال جریان، ذره‌ای کاسته نمی‌شود تا بدین ترتیب شاهد یک پیشرفت چشمگیر در سرعت و مصرف انرژی تراشه‌های نسل بعد باشیم.

سامسونگ در حال حاضر در ساخت پردازنده وضعیت خوبی ندارد و هرچه که تولید می‌کند یا داغ می‌کند و یا از لحاظ قدرت و سرعت، در مقایسه با چیزی که TSMC تولید می‌کند ضعیف‌تر است. حال باید دید آیا با فناوری ساخت ۳ نانومتری می‌تواند بالاخره برای یک سال هم که شده TSMC را کنار بزند یا خیر.

منبع: GSMArena

برچسب‌ها :
دیدگاه شما